Plasma etching process for aluminum-copper metallization by photoresist margin improvement for CMOS 0.13-µm technology
In wafer fabrication manufacturing, the aluminum etching process is a dry plasma etching process used as the main process for construction of aluminum copper (AlCu) interconnect structures. As customer requirements changed for faster, more reliable and lower cost chips, chip manufacturers have learn...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English English |
منشور في: |
2022
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utem.edu.my/id/eprint/26870/1/Plasma%20etching%20process%20for%20aluminum-copper%20metallization%20by%20photoresist%20margin%20improvement%20for%20CMOS%200.13-%C2%B5m%20technology.pdf http://eprints.utem.edu.my/id/eprint/26870/2/Plasma%20etching%20process%20for%20aluminum-copper%20metallization%20by%20photoresist%20margin%20improvement%20for%20CMOS%200.13-%C2%B5m%20technology.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!