Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS
Objektif projek ini adalah melakukan rekabentuk dan simulasi sebuah transistor nMOS dengan saiz salur 0.13 11m. Dengan melaksanakan peraturan penskalaan, transistor nMOS 0.13 11m direkabentuk daripada resipi transistor CMOS 0.18 11m yang telah direkabentuk dan disimulasikan sebelum ini dengan...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 语言: | English |
| 出版: |
2003
|
| 主题: | |
| 在线阅读: | http://eprints.uthm.edu.my/7600/1/24p%20AFANDI%20AHMAD.pdf |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
| 总结: | Objektif projek ini adalah melakukan rekabentuk dan simulasi sebuah transistor nMOS
dengan saiz salur 0.13 11m. Dengan melaksanakan peraturan penskalaan, transistor
nMOS 0.13 11m direkabentuk daripada resipi transistor CMOS 0.18 11m yang telah
direkabentuk dan disimulasikan sebelum ini dengan menggunakan kaedah yang sarna.
Perubahan dilakukan kepada beberapa parameter penting seperti saiz salur, ketebalan
oksida get, implantasi ion bagi modifikasi voltan ambang bagi mencapai matlamat projek
ini. Fabrikasi dan simulasi dilakukan menggunakan perisian Virtual Wafer Fabrication
(VWF) keluaran Silvaco Inc. TCAD Tools. Terdapat dua alat bantu utama yang
digunakan iaitu ATHENA dan ATLAS. ATHENA berfungsi untuk melakukan simulasi
kepada proses fabrikasi peranti dan ATLAS adalah untuk simulasi pencirian elektrikal.
Keputusan simulasi diberikan dalam paparan dua dimensi di dalam penyunting
TONYPLOT. Daripada kajian yang dijalankan, nilai voltan ambang (VTH) untuk
transistor nMOS iaitu 0.23503 V, kedalaman simpang (Aj) dengan nilai 0.198707 11m;
dan nilai rintangan helaian polisilikon ialah 8.63937 ohmlsegi. Sebagai kesimpulannya,
objektif projek telah berjaya dicapai. Penggunaan ATLAS dan ATHENA serta pemilihan
faktor penskalaan (S) = 1.38 adalah relevan. |
|---|