Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS
Objektif projek ini adalah melakukan rekabentuk dan simulasi sebuah transistor nMOS dengan saiz salur 0.13 11m. Dengan melaksanakan peraturan penskalaan, transistor nMOS 0.13 11m direkabentuk daripada resipi transistor CMOS 0.18 11m yang telah direkabentuk dan disimulasikan sebelum ini dengan...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 語言: | English |
| 出版: |
2003
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | http://eprints.uthm.edu.my/7600/1/24p%20AFANDI%20AHMAD.pdf |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|