Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron

Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi P...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Author:	Sulong, Muhammad Suhaimi
Format:	Thesis
Language:	English
Published:	2005
Subjects:	TK Electrical engineering Electronics Nuclear engineering TK7800-8360 Electronics
Online Access:	http://eprints.uthm.edu.my/7967/1/24p%20MUHAMMAD%20SUHAIMI%20SULONG.pdf
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	my-uthm-ep.7967
record_format	uketd_dc
spelling	my-uthm-ep.79672022-11-02T06:50:53Z Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron 2005-06 Sulong, Muhammad Suhaimi TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering TK7800-8360 Electronics Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi Pcngcsan Ekktron (SEM) dan Peleraian Tenaga Sinar-X (EDX). Kcputusan bagi kajian tcrscbut menunjukkan operasi bagi transistor nMOS Icbih k.llrang dua kali ganda kc1ajuannya berbanding transistor pMOS dengan nilai purata voltan ambang (Vr) sebanyak 0.36V berbanding 0.66V bagi transistor pMOS. Sehubungan dengan itu, daripada kcratan rentas yang dihasilkan oleh FIB, panjang get (Le) bagi transistor nMOS dan pMOS masing-masing ialah 0.124 mikron dan 0.135 mikron. Bahan-bahan bagi pcranti tersebut terdiri daripada bahan silikon (Si) bagi bahagian substrat, bahan polisilikon (Si) bagi transistor get, bahan tungsten (W) bagi bahagian sentuhan, bahan aluminium (AI) bagi bahagian sambungan logaml, logam2 dan logam 3 scrta bahan silikon oksida (Si02) bagi bahagian medan oksida teba!. Scbagai kesimpulan, pcranti ini tclah difabrikasi dengan sempuma dan ia sepatutnya mampu berfungsi dcngan baik. 2005-06 Thesis http://eprints.uthm.edu.my/7967/ http://eprints.uthm.edu.my/7967/1/24p%20MUHAMMAD%20SUHAIMI%20SULONG.pdf text en public mphil masters Universiti Kebangsaan Malaysia Fakulti Kejuruteraan
institution	Universiti Tun Hussein Onn Malaysia
collection	UTHM Institutional Repository
language	English
topic	TK Electrical engineering Electronics Nuclear engineering TK7800-8360 Electronics
spellingShingle	TK Electrical engineering Electronics Nuclear engineering TK7800-8360 Electronics Sulong, Muhammad Suhaimi Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
description	Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi Pcngcsan Ekktron (SEM) dan Peleraian Tenaga Sinar-X (EDX). Kcputusan bagi kajian tcrscbut menunjukkan operasi bagi transistor nMOS Icbih k.llrang dua kali ganda kc1ajuannya berbanding transistor pMOS dengan nilai purata voltan ambang (Vr) sebanyak 0.36V berbanding 0.66V bagi transistor pMOS. Sehubungan dengan itu, daripada kcratan rentas yang dihasilkan oleh FIB, panjang get (Le) bagi transistor nMOS dan pMOS masing-masing ialah 0.124 mikron dan 0.135 mikron. Bahan-bahan bagi pcranti tersebut terdiri daripada bahan silikon (Si) bagi bahagian substrat, bahan polisilikon (Si) bagi transistor get, bahan tungsten (W) bagi bahagian sentuhan, bahan aluminium (AI) bagi bahagian sambungan logaml, logam2 dan logam 3 scrta bahan silikon oksida (Si02) bagi bahagian medan oksida teba!. Scbagai kesimpulan, pcranti ini tclah difabrikasi dengan sempuma dan ia sepatutnya mampu berfungsi dcngan baik.
format	Thesis
qualification_name	Master of Philosophy (M.Phil.)
qualification_level	Master's degree
author	Sulong, Muhammad Suhaimi
author_facet	Sulong, Muhammad Suhaimi
author_sort	Sulong, Muhammad Suhaimi
title	Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
title_short	Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
title_full	Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
title_fullStr	Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
title_full_unstemmed	Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
title_sort	pencirian elektrik dan bahan bagi peranti cmos 0.15 mikron
granting_institution	Universiti Kebangsaan Malaysia
granting_department	Fakulti Kejuruteraan
publishDate	2005
url	http://eprints.uthm.edu.my/7967/1/24p%20MUHAMMAD%20SUHAIMI%20SULONG.pdf
_version_	1776103277931266048

Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron

Similar Items