Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi P...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 语言: | English |
| 出版: |
2005
|
| 主题: | |
| 在线阅读: | http://eprints.uthm.edu.my/7967/1/24p%20MUHAMMAD%20SUHAIMI%20SULONG.pdf |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|