Variable oxide thickness optimization and reliability analysis of Gate-All-Around floating gate for flash memory cell
Gate-All-Around (GAA) transistor is one of the excellent devices that has been utilized for flash memory applications owing to its gate coupling which led to a higher gate electrostatic control, cheaper manufacturing cost and bigger data storage. However, GAA structure with floating gate memory cell...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2020
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/102451/1/FarahAHamidMSKE2020.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!