Variable oxide thickness optimization and reliability analysis of Gate-All-Around floating gate for flash memory cell

Gate-All-Around (GAA) transistor is one of the excellent devices that has been utilized for flash memory applications owing to its gate coupling which led to a higher gate electrostatic control, cheaper manufacturing cost and bigger data storage. However, GAA structure with floating gate memory cell...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: A. Hamid, Farah
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2020
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.utm.my/id/eprint/102451/1/FarahAHamidMSKE2020.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!