Mohamad Rasol, M. F. (2021). Parameter variations of 20NM GAAS junctionless-gate-all-around field-effect transistor with quantum mechanical effects.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Mohamad Rasol, Muhammad Faidzal. Parameter Variations of 20NM GAAS Junctionless-gate-all-around Field-effect Transistor with Quantum Mechanical Effects. 2021.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Mohamad Rasol, Muhammad Faidzal. Parameter Variations of 20NM GAAS Junctionless-gate-all-around Field-effect Transistor with Quantum Mechanical Effects. 2021.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.