Electronic structure simulation of gallium arsenide clusters
Semiconductor clusters have occupied the centre of scientific interest because of their unique electronic nature. Among the group III-V compound clusters, the gallium arsenide clusters have been the focus of this research due to their importance in constructing fast microelectric devices. The electr...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Musa, Nor Muniroh |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2009
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/11121/6/NorMunirohMusaMFS2009.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Gold seed-particles assisted growth of indium gallium arsenide nanowires
بواسطة: Wibowo, Edy
منشور في: (2011) -
Characterizations of gallium arsenide nanowires grown by buffer layer assisted magnetron sputtering technique
بواسطة: Mohamad Nasir, Nor Fadilah
منشور في: (2018) -
Density functional theory investigations of structural, electronic and optical properties of III arsenides
بواسطة: Anua, Nurul Najwa
منشور في: (2014) -
AB initio density-functional study of neural gallium arsenide clusters /
بواسطة: Boo, Teck Boon
منشور في: (2001) -
Modelling and simulation of structural, electronic and optical properties of organic semiconducting materials
بواسطة: Mohamad, Mazmira
منشور في: (2017)