Structure and electrical properties of gallium arsenide nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition
Gallium Arsenide nanowires (GaAs NWs) have been grown on GaAs and Silicon (Si) substrates by gold-assisted and using metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. The structural properties and electrical conductivity were studied and was found to be strongly dependent on the pre-annealing...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Muhammad, Rosnita |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/36942/5/RosnitaMuhammadPFS2011.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Characterizations of gallium arsenide nanowires grown by buffer layer assisted magnetron sputtering technique
بواسطة: Mohamad Nasir, Nor Fadilah
منشور في: (2018) -
Studies of gallium nitride grown on silicon substrate by metalorganic chemical vapor deposition/
بواسطة: Chen, Jingli
منشور في: (2000) -
Growth parameters of indium arsenide quantum dots using metal organic vapour phase epitaxy
بواسطة: Lim, Kheng Boo
منشور في: (2008) -
Optical monitoring of alluminium deposition on gallium arsenide by chemical beam epitaxy /
بواسطة: Muhammad Azmi Abdul Hamid
منشور في: (1999) -
Gold seed-particles assisted growth of indium gallium arsenide nanowires
بواسطة: Wibowo, Edy
منشور في: (2011)