First-principles study of structural, electronic and optical properties of AlN, GaN, InN and BN compounds
Nitride semiconductor compounds have been occupying the center of scientific attention due to their extraordinary physical properties for many years. In this study, the structural, electronic and optical properties of aluminium nitride (AlN), gallium nitride (GaN), indium nitride (InN) and boron nit...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Al-Sardia, Mowafaq Mohammad Kethyan |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/47923/25/MowafaqMohammadKethyanMFS2013.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Electrical and optical characterization of commercial GaN and InGaN LED subjected to electron radiation /
بواسطة: Anati Syahirah binti Hedzir
منشور في: (2017) -
Growth of GaN-based LED on c-plane GaN substrate /
بواسطة: Sivanathan Pariasamy
منشور في: (2018) -
Optimization of AIN/GaN strained-layer superlattice for GaN Epitaxy on Si(111) substrate /
بواسطة: Yusnizam Yusuf
منشور في: (2017) -
Aluminium nitride (AlN) as buffer layer for deposition of gallium nitride (GaN) thin films on silicon substrates using magnetron sputtering technique
بواسطة: Tahan, Muliana
منشور في: (2021) -
Optical characterization of In(A1)GaN epilayers and quantum wells /
بواسطة: He, Yunpeng
منشور في: (2001)