Anthony Hasbi, H. (2005). Structural properties of hydrogenated amorphous silicon (A-SI: H) thin film grown via radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF PECVD).
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Anthony Hasbi, Hasbullah. Structural Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon (A-SI: H) Thin Film Grown via Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (RF PECVD). 2005.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Anthony Hasbi, Hasbullah. Structural Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon (A-SI: H) Thin Film Grown via Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (RF PECVD). 2005.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.