Structural properties of hydrogenated amorphous silicon (A-SI:H) thin film grown via radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF PECVD)
An investigation of the structural properties of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition of silane (SiH4) was done using a combination of atomic force microscopy (AFM), photoluminescence, infrared and UV spectroscopy. Films were prepa...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2005
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/5093/1/HasbullahAnthonyHasbiMFS2005.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|