Structural properties of hydrogenated amorphous silicon (A-SI:H) thin film grown via radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF PECVD)

Structural properties of hydrogenated amorphous silicon (A-SI:H) thin film grown via radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF PECVD)

An investigation of the structural properties of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition of silane (SiH4) was done using a combination of atomic force microscopy (AFM), photoluminescence, infrared and UV spectroscopy. Films were prepa...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Anthony Hasbi, Hasbullah
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2005
الموضوعات:
QC Physics
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.utm.my/id/eprint/5093/1/HasbullahAnthonyHasbiMFS2005.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة