Enhancing SRAM performance of common gate FinFET by using controllable independent double gate
This project is focus on the research and evaluation on the characteristic of independent controllable gate FinFET structure in static random access memory (SRAM) circuitry. BSIM-CMG model for common gate FinFET is chosen in this research. The independent controllable gate FinFET is constructed usin...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Chong, Chung Keong |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2015
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/53897/1/ChongChungKeongMFKE2015.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Performance analysis of 22NM FinFET-based 8T SRAM cell
بواسطة: Hasan Baseri, Nur Hasnifa
منشور في: (2018) -
Optimization of process parameter variation in double-gate FinFET model using various statistical methods
بواسطة: Roslan, Ameer Farhan
منشور في: (2022) -
Reliability analysis of junctionless fin field effect transistor (JL-FinFET)
بواسطة: Hamzah, Muhammad Naziiruddin
منشور في: (2022) -
Study of time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in 15MM junctionless FinFET
بواسطة: Chng, Sze Lyn
منشور في: (2022) -
Optimal channel dimensions and temperature characteristics of SI-FinFET transistor
بواسطة: Yousif, Yousif Atalla
منشور في: (2019)