Charge-based compact model of gate-all-around floating gate nanowire with variable oxide thickness for flash memory cell
Due to high gate electrostatic control and introduction of punch and plug process technology, the gate-all-around (GAA) transistor is very promising in, and apparently has been utilized for, flash memory applications. However, GAA Floating Gate (GAA-FG) memory cell still requires high programming vo...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/79404/1/MuhammadAfiqNurudinPFKE2018.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|