Performance evaluation of finfet silicide based contact through electrical simulation
Continues scaling of device dimension allows the complex integration of increasing number of transistors in a single chip possible. As the semiconductor industry move according to Moore’s law, the scaling down of field effect transistor (FET) has reached less than 10 nm. The conventional planar FET...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2021
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/96835/1/AdliaAiniMSKE2021.pdf.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
