Characterizing the channel interface properties of vertical double-diffused metal-oxide semiconductor (DMOS) with charge pumping method /

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Mohd Hanif Kamaruddin (Author)
Format: Thesis Book
Language:English
Subjects:
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
LEADER 01481cam a2200337 i 4500
001 u1003442
003 SIRSI
005 201409181005
008 140918s2014 my a t 000 0 eng m
040 |a UMM  |d UMJ  |e rda 
090 |a TK7  |b UM 2014 Mohhk 
097 |a TK7  |b UM 2014 Mohhk 
100 0 |a Mohd Hanif Kamaruddin,  |e author 
245 1 0 |a Characterizing the channel interface properties of vertical double-diffused metal-oxide semiconductor (DMOS) with charge pumping method /  |c Mohd Hanif bin Kamaruddin. 
264 1 |c 2014 
264 4 |c  2014 
300 |a  xx, 131 leaves :  |b illustrations ;  |c 30cm. 
336 |a text  |2 rdacontent 
337 |a unmediated  |2 rdamedia 
338 |a volume  |2 rdacarrier 
502 |b M.Eng.Sc.  |c Jabatan Kejuruteraan Elektrik, Fakulti Kejuruteraan, Universiti Malaya  |d 2014. 
504 |a Bibliography: leaves 116-122. 
650 0 |a Silicon oxide. 
650 0 |a Metal oxide semiconductors  |x Materials. 
650 0 |a Integrated circuits  |x Design. 
710 2 |a Universiti Malaya.  |b Jabatan Kejuruteraan Elektrik,  |e degree granting institution. 
900 |a HA-ZA-AMA 
596 |a 1 7 
999 |a TK7 UM 2014 MOHHK  |w LC  |c 1  |i A515975489  |d 25/8/2015  |f 25/8/2015  |g 1  |l STACKS  |m P01UTAMA  |r Y  |s Y  |t TESIS  |u 24/8/2015 
999 |a TK7 UM 2014 MOHHK  |w LC  |c 1  |i A516364055  |d 29/1/2016  |f 29/1/2016  |g 1  |l STACKS  |m P07JURUTER  |r N  |s Y  |t TESIS  |u 29/1/2016  |1 STEM 
999 |a TK7 UM 2014 MOHHK  |w LC  |c 2  |i A516354755  |d 29/1/2016  |f 29/1/2016  |g 1  |l COUNTER  |m P07JURUTER  |r N  |s Y  |t CD  |u 29/1/2016  |1 STEM