Characterizing the channel interface properties of vertical double-diffused metal-oxide semiconductor (DMOS) with charge pumping method /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Mohd Hanif Kamaruddin (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor (LDMOS) transistor Safe Operating Area (HCI-SOA) characterization under hot carrier injection /
بواسطة: Sharifah Shafini Syed Shahabuddin
منشور في: (2013) -
A comparative study of MOS capacitors fabricated on single-crystal and polycrystalline silicon /
بواسطة: Tay, Tuang Mee
منشور في: (1990) -
Design and construction of charge pumping technique for MOS transistor characterization /
بواسطة: Lee, Hock Guan
منشور في: (2004) -
Gate oxide integrity (GOI) for C13 (0.13 [micro]m) silicon processing technology /
بواسطة: Yong, Yoong Hooi
منشور في: (2006) -
Pencirian SiO2 untuk fabrikasi transistor MOS /
بواسطة: Sakina Farikhullah Khan
منشور في: (1997)