Liquid phase epitaxy of InAs1-xSb1-x using antimony-rich melt /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Chatrath, Vishal (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1999.
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/id/eprint/1330 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Field emission studies of the epitaxial growth of silver on rhenium
بواسطة: Burhanuddin Yeop Majlis, Dato'
منشور في: (1980) -
Optical monitoring of alluminium deposition on gallium arsenide by chemical beam epitaxy /
بواسطة: Muhammad Azmi Abdul Hamid
منشور في: (1999) -
A study of traps in semi-insulating AlxGa1-xAs grown by molecular beam epitaxy at low substrate temperatures /
بواسطة: Chen, Geng
منشور في: (1998) -
Characterization of epitaxial surfaces and interfaces of wide band gap semiconductores /
بواسطة: Xie, Xianning
منشور في: (2003) -
Growth of semi-polar (11-22) GaN epitaxial layer on M-plane sapphire via MOCVD /
بواسطة: Mohd Afiq Anuar
منشور في: (2020)