Formation of ZrO2 gate dielectric on Ge substrate by thermal oxidation and post annealing for metal-oxide-semiconductor devices /

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Lei, Zhen Ce (Author)
Format: Thesis Book
Language:English
Published: 2019.
Subjects:
Online Access:http://studentsrepo.um.edu.my/11120/
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
LEADER 01684cam a2200421 i 4500
001 u1123798
003 SIRSI
005 201910041018
008 191004s2019 my a m 000 0 eng
040 |a UMM  |d UMJ  |e rda 
090 |a TJ7  |b UMP 2019 Lei 
097 |a TJ7  |b UMP 2019 Lei 
100 1 |a Lei, Zhen Ce,  |e author. 
245 1 0 |a Formation of ZrO2 gate dielectric on Ge substrate by thermal oxidation and post annealing for metal-oxide-semiconductor devices /  |c Lei Zhen Ce. 
264 1 |c 2019. 
300 |a xxiv, 181 leaves :  |b illustrations ;  |c 30 cm 
336 |a text  |2 rdacontent 
337 |a unmediated  |2 rdamedia 
337 |a computer  |2 rdamedia 
338 |a volume  |2 rdacarrier 
338 |a computer disc  |2 rdacarrier 
502 |b Ph.D.  |c Jabatan Kejuruteraan Mekanik, Fakulti Kejuruteraan, Universiti Malaya  |d 2019. 
504 |a Bibliography: leaves 160-180. 
530 |a Also issued in CD. 
650 0 |a Metal oxide semiconductors. 
650 0 |a Metals  |x Thermal conductivity. 
650 0 |a Metals  |x Oxidation. 
650 0 |a Germanium. 
650 0 |a Zirconium. 
650 0 |a Sputtering (Physics) 
650 0 |a Annealing of metals. 
710 2 |a Universiti Malaya.  |b Jabatan Kejuruteraan Mekanik,  |e degree granting institution. 
856 4 1 |u http://studentsrepo.um.edu.my/11120/ 
596 |a 1 7 25 
900 |a NSM AMA 
999 |a TJ7 UMP 2019 LEI  |w LC  |c 1  |i A517375690  |f 16/10/2019  |g 1  |l STACKS  |m P01UTAMA  |r Y  |s Y  |t TESIS  |u 16/10/2019  |1 STEM 
999 |a TJ7 UMP 2019 LEI  |w LC  |c 1  |i A517198014  |f 21/5/2020  |g 1  |l STACKS  |m P25UMARCHI  |r N  |s Y  |t CD  |u 21/5/2020  |1 STEM 
999 |a TJ7 UMP 2019 LEI  |w LC  |c 1  |i A517442933  |f 20/10/2020  |g 1  |l STACKS  |m P07JURUTER  |r Y  |s Y  |t TESIS  |u 20/10/2020  |1 STEM