Mohd Nazri Abd Rahman. (2021). High quality single-crystalline aluminum nitride grown using pulsed atomic-layer epitaxy technique by MOCVD on sapphire substrate.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Mohd Nazri Abd Rahman. High Quality Single-crystalline Aluminum Nitride Grown Using Pulsed Atomic-layer Epitaxy Technique by MOCVD on Sapphire Substrate. 2021.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Mohd Nazri Abd Rahman. High Quality Single-crystalline Aluminum Nitride Grown Using Pulsed Atomic-layer Epitaxy Technique by MOCVD on Sapphire Substrate. 2021.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.