Study of Schottky and Poole-Frenkel conduction mechanism in Fe304-gamma-Fe2O3/SiO2/n-type Si system /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Chung, Adrian Ning Hann (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2021.
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/13418/ |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Pencirian SiO2 untuk fabrikasi transistor MOS /
بواسطة: Sakina Farikhullah Khan
منشور في: (1997) -
Cathodoluminescence from SiO2-Si structures /
بواسطة: Liu, Xu
منشور في: (1996) -
Schottky and Poole-Frenkel conduction mechanisms in ZrON/SiC system /
بواسطة: Vanessa Lusus
منشور في: (2020) -
A correlation of oxide trap density and TDDB characteristics of very thin SiO2 films /
بواسطة: Perera, Merinnage Tamara Chandima
منشور في: (1995) -
Electrical and structural characterisation of rapid thermal annealed RF sputtered silicon oxide films /
بواسطة: Han, King Kwang
منشور في: (1998)