Fabrication and characterization of Ohmic contacts made with Au/Ni/Ge/Au multilayer metallization system on N-type gallium arsenide /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lee, Seng Hin |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1990.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Optical monitoring of alluminium deposition on gallium arsenide by chemical beam epitaxy /
بواسطة: Muhammad Azmi Abdul Hamid
منشور في: (1999) -
Study of LT-GaAs and LT-A1(0.3)Ga(0.7A)As MISFET devices /
بواسطة: Rao, Rapeta V.V.V. Jagannadha
منشور في: (2000) -
Design of silicon nitride metal-insulator-metal capacitor using 0.15 um gallium arsenide technology
بواسطة: Sanusi, Rasidah
منشور في: (2010) -
Pulse-duration dependent capacitance analysis and its application to copper in GaAs0.6P0.4 /
بواسطة: Han, Meng Kwong
منشور في: (1994) -
Laser annealing of donor implanted gallium arsenide /
بواسطة: Akintunde, J. A.
منشور في: (1981)