Pulse-duration dependent capacitance analysis and its application to copper in GaAs0.6P0.4 /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Han, Meng Kwong |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1994.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Copper-induced deep level defects in GaAs0.6P0.4 alloy semiconductor /
بواسطة: Hu, Peh Yin
منشور في: (1992) -
Tight-binding molecular dynamics studies of clusters and defects in GaAs and AlAs /
بواسطة: Quek, Hoon Khim
منشور في: (1998) -
Study of LT-GaAs and LT-A1(0.3)Ga(0.7A)As MISFET devices /
بواسطة: Rao, Rapeta V.V.V. Jagannadha
منشور في: (2000) -
Defect studies of MBE grown AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs materials /
بواسطة: Du, An Yan
منشور في: (1998) -
A study of GaAs/InGaAs/AIAs stepped quantum wells by C-V profiling /
بواسطة: Mohd. Edee Rozey Abd. Manaf
منشور في: (2001)