Theory of non-radiative capture of carriers by multiphonon processes for deep centres in semiconductors /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Zheng, Jun Hui |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1995.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Charge-state effects of deep centres in semiconductors on non-radiative capture of carriers by multiphonon processes /
بواسطة: Kang, Yong Qiang
منشور في: (1996) -
Theory of point defects in semiconductors /
بواسطة: Khoo, Guan Seng
منشور في: (1987) -
Copper-induced deep level defects in GaAs0.6P0.4 alloy semiconductor /
بواسطة: Hu, Peh Yin
منشور في: (1992) -
Theoretical calculations of defect processes on the surface and bulk of semiconductors /
بواسطة: Khoo, Guan Seng
منشور في: (1992) -
Computer controlled transient capacitance measurement and analysis of deep levels in semiconductors /
بواسطة: Wu, Zongmin
منشور في: (1996)