Modelling and simulation of hot-carrier degradation in submicrometre MOS transistors /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Seah, Boon Pian |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1995.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Characterization of hot-carrier degradation in submicrometer MOS transistors /
بواسطة: Ang, Diing Shenp
منشور في: (1997) -
Hot-carrier characterization of tungsten polycide gate and graded-junction MOS transistors /
بواسطة: Lou, Choon Leong
منشور في: (1997) -
Hot-carrier characterization of submicrometer MOS transistors : subthreshold degradation and channel-width effect /
بواسطة: Qin, Wei Han
منشور في: (1998) -
Development of design framework to overcome aging degradation of 16NM VLSI technology circuits /
بواسطة: Mahmoud, Mohamed Mounir
منشور في: (2013) -
Evaluation of hot-carrier degradation in submicrometre MOSFETs by gate capacitance and charge pumping current measurements /
بواسطة: Tan, Suat Eng
منشور في: (1997)