A comparative study of MOS capacitors fabricated on single-crystal and polycrystalline silicon /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Tay, Tuang Mee |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1990.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Structural, electrical, thermal and optical properties of polycrystalline metal chalcogenide compounds
بواسطة: Liew, Josephine Ying Chyi
منشور في: (2011) -
Reliability investigation of MOS devices under high current impulse stressing /
بواسطة: Teh, Gim Leong
منشور في: (1998) -
The electrocatalytic activity of Polycrystalline Copper towards the electrochemical reduction of Carbon Dioxide /
بواسطة: Jumat Salimon
منشور في: (2001) -
Degradation and annealing of electrically-stressed thin oxide in MOS devices /
بواسطة: Ng, Wee Thong
منشور في: (1998) -
Electrical characterisation of MOS gate oxide /
بواسطة: Ooi, Joo Aik
منشور في: (1996)