Computer controlled transient capacitance measurement and analysis of deep levels in semiconductors /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Wu, Zongmin |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1996.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study of deep levels in laser-prepared silicon rectifying junctions using a computer-controlled DLTS system /
بواسطة: Woon, Hin Swee
منشور في: (1988) -
Copper-induced deep level defects in GaAs0.6P0.4 alloy semiconductor /
بواسطة: Hu, Peh Yin
منشور في: (1992) -
Pulse-duration dependent capacitance analysis and its application to copper in GaAs0.6P0.4 /
بواسطة: Han, Meng Kwong
منشور في: (1994) -
Theoretical calculations of defect processes on the surface and bulk of semiconductors /
بواسطة: Khoo, Guan Seng
منشور في: (1992) -
Theory of point defects in semiconductors /
بواسطة: Khoo, Guan Seng
منشور في: (1987)