Leang, S. E. (1997). New techniques for the characterization of hot-carrier degradation in MOS devices.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Leang, Sern Ee. New Techniques for the Characterization of Hot-carrier Degradation in MOS Devices. 1997.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Leang, Sern Ee. New Techniques for the Characterization of Hot-carrier Degradation in MOS Devices. 1997.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.