Investigation of zinc-blende GaN based strained quantum well laser /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Fan, Wei Jun |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1996.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Study of strained-layer quantum well semiconductor heterostructure lasers /
بواسطة: Loh, Ter Hoe
منشور في: (1993) -
A study of GaAs/InGaAs/AIAs stepped quantum wells by C-V profiling /
بواسطة: Mohd. Edee Rozey Abd. Manaf
منشور في: (2001) -
Study of MBE grown AIInGaAs/AIGaAs quantum wells and their application in semiconductor lasers /
بواسطة: Zhang, Zhihe
منشور في: (1997) -
Growth of GaN-based LED on c-plane GaN substrate /
بواسطة: Sivanathan Pariasamy
منشور في: (2018) -
Electronic structure and excitation in Ga1-xA1xAs quantum wells /
بواسطة: Guo, Qiang
منشور في: (1996)