Electronic structure and excitation in Ga1-xA1xAs quantum wells /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Guo, Qiang |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1996.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Investigation of zinc-blende GaN based strained quantum well laser /
بواسطة: Fan, Wei Jun
منشور في: (1996) -
A study of GaAs/InGaAs/AIAs stepped quantum wells by C-V profiling /
بواسطة: Mohd. Edee Rozey Abd. Manaf
منشور في: (2001) -
Blue-shift of effective band-gap in n-i-p-i doping superlattices as a function of optical excitation intensity /
بواسطة: Bastola, Subas
منشور في: (1997) -
Tenaga peralihan optik perigi kuantum heterostruktur ultranipis A1x Ga1-xAs/GaAs
بواسطة: Ho, Wan Seng
منشور في: (1989) -
Study of intersubband transitions in InGaAs/GaAs quantum wells /
بواسطة: H. Jamal Mohamad
منشور في: (1996)