Teh, G. L. (1998). Reliability investigation of MOS devices under high current impulse stressing.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Teh, Gim Leong. Reliability Investigation of MOS Devices Under High Current Impulse Stressing. 1998.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Teh, Gim Leong. Reliability Investigation of MOS Devices Under High Current Impulse Stressing. 1998.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.