Electrical and structural characterisation of rapid thermal annealed RF sputtered silicon oxide films /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Han, King Kwang |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1998.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Effect of rapid thermal annealing on rf sputtered silicon-silicon oxide systems /
بواسطة: Choo, Chong Kheng
منشور في: (1997) -
Effects of annealing on the structural properties of R.F. sputtered amorphous silicon carbide films /
بواسطة: Ong, Tiong Yew
منشور في: (1998) -
Electrical and structural characterisations of rapid thermal annealed silicon-silicon oxide systems /
بواسطة: Chan, Yee Ming
منشور في: (1997) -
Preparation and characterisation of hydrogenated R.F. sputtered amorphous silicon carbide films /
بواسطة: Loo, Fook Leong
منشور في: (1996) -
A correlation of oxide trap density and TDDB characteristics of very thin SiO2 films /
بواسطة: Perera, Merinnage Tamara Chandima
منشور في: (1995)