Hot-carrier characterization of submicrometer MOS transistors : subthreshold degradation and channel-width effect /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Qin, Wei Han |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1998.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Characterization of hot-carrier degradation in submicrometer MOS transistors /
بواسطة: Ang, Diing Shenp
منشور في: (1997) -
Hot-carrier studies in submicrometer SOI and conventional MOSFETs /
بواسطة: Yip, Anselm
منشور في: (1998) -
Hot-carrier characterization of tungsten polycide gate and graded-junction MOS transistors /
بواسطة: Lou, Choon Leong
منشور في: (1997) -
Hot-carrier degradation study in MOSFET's by charge pumping, gated-diode and floating gate techniques /
بواسطة: Goh, Yong Han
منشور في: (1997) -
A study of hot-carrier degradation in nitrided and conventional oxides /
بواسطة: Goo, Kah Heong
منشور في: (1998)