Ng, W. T. (1998). Degradation and annealing of electrically-stressed thin oxide in MOS devices.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Ng, Wee Thong. Degradation and Annealing of Electrically-stressed Thin Oxide in MOS Devices. 1998.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Ng, Wee Thong. Degradation and Annealing of Electrically-stressed Thin Oxide in MOS Devices. 1998.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.