Carrier lifetime characterization techniques in SOI and bulk silicon /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Cheng, Zhiyuan |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1999.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Electrical characterization of bulk traps and interface traps in the fully-depleted SOI MOSFET /
بواسطة: Lun, Zhao
منشور في: (2002) -
Hot-carrier studies in submicrometer SOI and conventional MOSFETs /
بواسطة: Yip, Anselm
منشور في: (1998) -
A study on the effects of design parameters on PD SOI MOSFET /
بواسطة: Nurul Azimah Ahmad Arzaai
منشور في: (2013) - Numerical simulations of innovative ground plane and double-gate configurations in thin-body and -buried oxide of SOI MOSFETS
-
New techniques for the characterization of hot-carrier degradation in MOS devices /
بواسطة: Leang, Sern Ee
منشور في: (1997)