A study of series resistance and effective channel mobility in LDD NMOSFET /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Oh, Gim Guan |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2000
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study of long and short channel NMOSFET on threshold voltage /
بواسطة: Norseha Ariffin
منشور في: (2013) -
A study on hot carrier effect (HCE) on LDD n-MOSFET /
بواسطة: Haziezol Helmi Mohd Yusof
منشور في: (2013) -
A study on the hot-carrier degradation of wide and narrow channel nmosfet devices with recessed-locos isolation structures /
بواسطة: Yue, Jeffrey Mun Pun
منشور في: (2000) -
Characterization of 50nm NMOSFET / Aziddin Azman
بواسطة: Azman, Aziddin
منشور في: (2009) -
Quarter-micron process simulation and LDD structure optimization /
بواسطة: Wang, Yu
منشور في: (1997)