Theoretical comparison of tensile strained inGaAs/InA1GaAs and InGaAs/InGaAsP QW lasers emitting at 1.55 um /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Khoo, Hong Khai |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1999
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Defect studies of MBE grown AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs materials /
بواسطة: Du, An Yan
منشور في: (1998) -
Study of intersubband transitions in InGaAs/GaAs quantum wells /
بواسطة: H. Jamal Mohamad
منشور في: (1996) -
A study of GaAs/InGaAs/AIAs stepped quantum wells by C-V profiling /
بواسطة: Mohd. Edee Rozey Abd. Manaf
منشور في: (2001) -
Study on the characteristics of A1GaAs/GaAs HEMT under illumination /
بواسطة: Huang, Yajian
منشور في: (2001) -
Tenaga peralihan optik perigi kuantum heterostruktur ultranipis A1x Ga1-xAs/GaAs
بواسطة: Ho, Wan Seng
منشور في: (1989)