A study on the hot-carrier degradation of wide and narrow channel nmosfet devices with recessed-locos isolation structures /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Yue, Jeffrey Mun Pun |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2000.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Investigation of hot-carrier degradation in surface and buried channel pmosfets/
بواسطة: Kok, Chee Kean
منشور في: (2000) -
New techniques for the characterization of hot-carrier degradation in MOS devices /
بواسطة: Leang, Sern Ee
منشور في: (1997) -
A study of long and short channel NMOSFET on threshold voltage /
بواسطة: Norseha Ariffin
منشور في: (2013) -
A study of series resistance and effective channel mobility in LDD NMOSFET /
بواسطة: Oh, Gim Guan
منشور في: (2000) -
Characterization of hot-carrier degradation in submicrometer MOS transistors /
بواسطة: Ang, Diing Shenp
منشور في: (1997)