Chua, H. N. (2000). Void formation in P+ Ti-Salicided Polysilicon gate electrode in deep sub-quarter-micron CMOS Technology.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Chua, Hwee Ngoh. Void Formation in P+ Ti-Salicided Polysilicon Gate Electrode in Deep Sub-quarter-micron CMOS Technology. 2000.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Chua, Hwee Ngoh. Void Formation in P+ Ti-Salicided Polysilicon Gate Electrode in Deep Sub-quarter-micron CMOS Technology. 2000.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.