Oxidation-induced stacking fault in (100) and (111) silicon wafers /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Liang, Mei Keat |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2002.
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/id/eprint/2316 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Characterization of polished silicon wafer /
بواسطة: Rajan Subramaniam
منشور في: (2003) -
Surface chemistry of chlorobenzene and carbon tetrachloride on Si(111) and iron pentacarbonyl on GaAS(100) /
بواسطة: Ng, Adeline Seo Lian
منشور في: (1998) -
Secondary ions emission from Si(100) /
بواسطة: Low, Heng Siong
منشور في: (1996) -
Induced vesicle convulation by localized perturbation on disk bilayer charged surface /
بواسطة: Hairul Anuar Tajuddin
منشور في: (2002) -
Tight-binding molecular-dynamics studies of silicon surfaces /
بواسطة: Low, Kian Chang
منشور في: (1993)