Indium implant in short channel n-mosfets device fabrication /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ong, Shiang Yang |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2001.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Predictive process and device simulation of mosfet devices /
بواسطة: Lee, Siew Weng
منشور في: (2000) -
Simulation Of Short Channel Vertical Mosfet Structures
بواسطة: Ooi , Poh Kok
منشور في: (2010) -
High frequency characteristic studies of the n-channel enhancement mode power mosfet device /
بواسطة: Rosli Sahrani
منشور في: (2000) -
Two-dimensional analytical modelling of the short-channel mosfet /
بواسطة: Kendall, James D. 1959-
منشور في: (1987) -
The effect of doping concentration on the characteristics of n-channel MOSFET /
بواسطة: Teen, Soh Hong
منشور في: (2005)