Design of partial soi power mosfet for high frequency application /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ren, Changhong |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2001.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study on the effects of design parameters on PD SOI MOSFET /
بواسطة: Nurul Azimah Ahmad Arzaai
منشور في: (2013) -
Electrical characterization of bulk traps and interface traps in the fully-depleted SOI MOSFET /
بواسطة: Lun, Zhao
منشور في: (2002) -
Hot-carrier studies in submicrometer SOI and conventional MOSFETs /
بواسطة: Yip, Anselm
منشور في: (1998) - Numerical simulations of innovative ground plane and double-gate configurations in thin-body and -buried oxide of SOI MOSFETS
-
High frequency characteristic studies of the n-channel enhancement mode power mosfet device /
بواسطة: Rosli Sahrani
منشور في: (2000)