Development of ultra-thin nitrogen-rich gate oxide process for deep submicron CMOS technology /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lek, Chun Meng |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2002.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Development of gate oxide short (GOS) model for deep submicron CMOS transistor
بواسطة: Cheow, Kwee Siong
منشور في: (2005) -
Actively quenched SPAD with improved amplification using deep submicron CMOS technology
بواسطة: Muslim, Nur Nadia
منشور في: (2022) -
Defectivity improvement in advanced processes and its investigation to negative bias temperature instabilities in High-K/Metal-Gate Deep-Submicron CMOS /
بواسطة: Yasmin Abdul Wahab
منشور في: (2015) -
Ultra-thin gate oxide reliability /
بواسطة: Ang, Chew Hoe
منشور في: (2000) -
New investigation in ultra-thin gate oxide degradation phenomena /
بواسطة: Guan, Hao
منشور في: (2001)