Computer simulation of silicon nitride deposition in PECVD reactors using SiCl4/NH3/Ar mixtures as precursors /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Xu, Yunhua |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2002.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Effect of annealing on direct current and pulse PECVD hydrogenated amorphous silicon /
بواسطة: Lim, Seck Chai
منشور في: (2004) -
Bismuth titanate and strontium bismuth titanate from mechanical activation of mixed oxides and coprecipitated precursor /
بواسطة: Ng, Szu Hwee
منشور في: (2001) -
STM investigation of Si magic cluster /
بواسطة: Lee, Justina Sze Ying
منشور في: (2000) -
Synthesis and characterization of RF-PECVD carbon nitride thin films /
بواسطة: Lim, Shuang Fang
منشور في: (1999) -
Thermal behavior of tantalum-based diffusion barriers in Cu/Si metallization /
بواسطة: Liu, Ling
منشور في: (1999)