Latent damage generation in silicon dioxide under high-field impulse and constant-bias stressing /

Latent damage generation in silicon dioxide under high-field impulse and constant-bias stressing /

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Lim, Peng Soon
التنسيق: أطروحة كتاب
اللغة:English
منشور في: 2001.
الموضوعات:
Silica.
Metal oxide semiconductor field-effect transistors > Reliability
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة