Plasma process-induced damage to oxide/nitride/oxide (ONO) interpoly dielectric in flash memory devices /

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Cha, Cher Liang
التنسيق:	أطروحة كتاب
اللغة:	English
منشور في:	2001.
الموضوعات:	Plasma devices > Defects. Ferroelectric storage cells.
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الوصف
وصف مادي:	xviii, 117 leaves : ill. ; 30 cm.
بيبلوغرافيا:	Bibliography: leaves 140-165.

مواد مشابهة