Plasma process-induced damage to oxide/nitride/oxide (ONO) interpoly dielectric in flash memory devices /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Cha, Cher Liang |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2001.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Plasma-induced damage to gallium nitride /
بواسطة: Choi, Hoi Wai
منشور في: (2002) -
Feasibility study of plasma electrolytic oxidation (PEO) on TiO2, nanotubes fabrication /
بواسطة: Amirah Nadiah Roslan
منشور في: (2019) -
Ferroelectric and pyroelectric properties of form IV poly (vinylidene fluoride) and its composites /
بواسطة: Gan, Wee Chen
منشور في: (2015) -
An investigation of the properties of (SBT and SBNT) ferroelectric thin films /
بواسطة: Tay, Soon Thiam
منشور في: (2003) -
Plasma deposited silicon oxide : preparation and physical characterization /
بواسطة: Wong, King Seng
منشور في: (1992)