Characterization of epitaxial surfaces and interfaces of wide band gap semiconductores /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Xie, Xianning |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2003.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Nuclear microscopy of wide band gap semiconductors /
بواسطة: Teo, Ee Jin
منشور في: (2002) -
Energy band structures and optical properties of wide-gap iii-v semiconductors /
بواسطة: Yeo, Yee Chia
منشور في: (1997) -
Practical design of low power bandgap reference using cmos mixed signal process /
بواسطة: Asmah Truky
منشور في: (2009) -
Optical monitoring of alluminium deposition on gallium arsenide by chemical beam epitaxy /
بواسطة: Muhammad Azmi Abdul Hamid
منشور في: (1999) -
Low-temperature grown semiconducting GaAs epilayer on Si by molecular beam epitaxy and its application to laser diodes /
بواسطة: Phua, Cheng Chiang
منشور في: (1997)